TIP31C Transistor BJT NPN -100V / -3A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 50.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-220
- Transistor complementario TIP32C
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -100V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -3A
- Corriente Base (IB): -1A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 40W
- Ganancia Máxima (hFE): 50
- Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz
