semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 65W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 15 y 75.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-220
- Transistor complementario TIP42C
- Transistor equivalente a TIP41, TIP41A, TIP41B, NTE331
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): 100V
- Voltaje Colector - Base (VCB): 100V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
- Corriente Colector (IC): 6A
- Corriente Base (IB): 2A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 65W
- Ganancia Máxima (hFE): 75
- Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz
