BD135 Transistor BJT NPN 45V - 1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 40 y los 250.
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y driver o en aplicaciones de Radio, Televisión, Equipos electrónicos de medicina, Amplificadores de alta potencia y potencia media.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-126
- Transistor complementario BD136
- Transistor equivalente a NTE184, NTE375
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): 45V
- Voltaje Colector - Base (VCB): 45V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
- Corriente Colector (IC): 1.5A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
- Ganancia Máxima (hFE): 250
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz
