TIP122 Transistor Darlington BJT NPN 100V - 5A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 65W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 5A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) de 1000.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio de Potencia y Driver, Control de Motores, Controladores de Relay (Rele) y Solenoides.
Principales Características:
Tipo de Encapsulado: TO-220Transistor complementario TIP127Transistor equivalente a NTE261Transistor Darlington de Unión Bipolar BJT Tipo NPNVoltaje Colector - Emisor (VCE): 100VVoltaje Colector - Base (VCB): 100VVoltaje Emisor - Base (VEB): 5VCorriente Colector (IC): 5ACorriente Base (IB): 120mAPotencia Máxima Disipada (PD): 65WGanancia Máxima (hFE): 1000
