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    TRANSISTOR 2N3904 DE SUPERFICIE SMD

    Descripción

    Transistor MMBT3906 2A bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.

    Principales Características:

    • TEMPERATURA OPERATIVA: -55°C ~ 150°C
    • ENCAPSULADO: SOT-23
    • TIPO DE MONTAJESUPERFICIAL: SMD/SMT
    • TIPO TRANSISTOR: NPN
    • DISIPACIÓN DE POTENCIA: 200mW
    • VOLTAJE COLECTOR-EMISOR: -40V
    • VOLTAJE COLECTOR-BASE: -40V
    • VOLTAJE EMISOR-BASE: -5V
    • CORRIENTE COLECTOR: -200mA
    • GANANCIA CORRIENTE DC hFE Máx: 300
    • FRECUENCIA DE TRANSICIÓN fT: 250MHz

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