Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 500mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 30VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 110 y los 800.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-92
- Transistor complementario BC548, BC549
- Transistor equivalente a BC559, NTE159, C558, C558B, TBC558
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -30V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -30V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -100mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 500mW
- Ganancia Máxima (hFE): 800
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 150 MHz
