BC337 Transistor BJT NPN 45V - 100mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 500mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 110 y los 800.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-92
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): 45V
- Voltaje Colector - Base (VCB): 50V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): 6V
- Corriente Colector (IC): 100mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 500mW
- Ganancia Máxima (hFE): 800
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 300 MHz
