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    Irfp250n Mosfet Canal N 30 Amperios 200 Voltios Irfp250n Mosfet Canal N 30 Amperios 200 Voltios
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    Irfp250n Mosfet Canal N 30 Amperios 200 Voltios

    Descripción

    Transistor mosfet canal N 200V 33A de suicheo rápido.

    Principales Características:

    • Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 30A máximo
    • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V máximo
    • Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 150°C
    • Encapsulado: TO247 (TO3)

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