Mosfet canal N 2N7000 de Baja Potencia

2N7000 MOSFET Canal N 60V - 200mA TO-92, estos transistores de efecto de campo de canal N han sido diseñados para minimizar la resistencia en el estado mientras proporcionan un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido.

Se pueden usar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 200 mA en corriente directa y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Estos productos son particularmente adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de servomotores pequeños, controladores de transistores MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Principales Características:

• Tipo de Encapsulado: TO-92
• Transistor equivalente a NTE491
• Transistor Mosfet Canal N
• Voltaje Drain - Source (VDSS): 60V
• Voltaje Drain - Gate (VDGR): 60V
• Voltaje Gate - Source (VGS): 20V
• Corriente Drain (ID): 200mA
• Corriente Pulsada en Drain (IDM): 500mA
• Resistencia de Conducción (RDS): 5Ω
• Potencia Máxima Disipada (PD): 400 mW