IRF740 MOSFET CANAL N 10 AMPERIOS 400 VOLTIOS

El transistor IRF740 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF740FI es un MOSFET de modo de mejora de canal N de 400 V diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad y requisitos de accionamiento simples.

• Clasificación dV / dt dinámica
• Avalancha repetitiva calificada
• Interruptor de alta velocidad
• Fácil de paralelar
• Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  
  

Información Básica

• Polaridad: Canal-N
• Voltaje de drenaje-fuente Vds: 400 V
• Intensidad drenador continua Id:10 A
• Resistencia de activación Rds(on): 550 mhoms
• Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 125 W
• Temperatura mínima de operación: -55°C
• Temperatura máxima de operación: 150°C
• Encapsulado TO-220
• 3 pines