IRFP450N MOSFET CANAL N 30 AMPERIOS 200 VOLTIOS

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP450APBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg da como resultado un requerimiento de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS y conmutación de energía de alta velocidad.

CARACTERISTICAS:
Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica
Capacidad y voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
Baja RDS (ON)
Aplicaciones: Administración de Potencia

ESPECIFICACIONES:
Polaridad: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 14 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
Resistencia de activación Rds(on): 400 mohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 190 W
Temperatura de trabajo máxima: 150°C
Encapsulado TO-247
3 pines