Descripción

DESCRIPCIÓN:

Está organizado como dos bloques de memoria de 256 x 8 bits. El diseño de bajo voltaje permite un funcionamiento desde 2.5 V, con corrientes en espera y activas de solo 100 nA y 3 mA, respectivamente. Además tiene una capacidad de escritura de página para hasta 64 bytes de datos, junto con una memoria borrable de 256Kbit a una velocidad máxima de 400 KHz. Ideal para almacenar datos, instrucciones o programas específicos y reusables.

Principales Características:

Voltaje de trabajo: 2.5 VDC ~ 5.5VDC.
Consumo de corriente:
- Lectura: 400 uA.
- Escritura: ~ 3 mA.
- Standby: ~ 100 nA.
Entradas Schmitt Trigger para supresión de ruido.
Control de pendiente de salida para eliminar el rebote del suelo.
Frecuencia de reloj: 100 KHz ~ 400 KHz.
Tiempo escritura: ~ 5 ms.
Búfer de datos: ~ 64 bytes.
Memoria EEPROM: 256 Kbit.
Interfaz: I2C.
Ciclo escritura/lectura: ~ 1000000.
Retención de datos: ~ 200 años.
Rango de temperatura: -40 °C ~ +125 °C.
Empaque: 8-pin PDIP.